KAIST ±è»óÇö ±³¼öÆÀ(Àü±â ¹× ÀüÀÚ°øÇкÎ)ÀÌ ±âÁ¸ CMOS* ±â¹Ý ·ÎÁ÷ ¼ÒÀÚ**ÀÇ ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÒ 3Â÷¿ø ·ÎÁ÷ ¼ÒÀÚ¿Í ±ØÀú¿Â¿¡¼ µ¿ÀÛÇÏ´Â ÃÊÀúÀü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ¹× ȸ·Î±â¼úÀ» °³¹ßÇß½À´Ï´Ù. ¿¬±¸ ¼º°ú´Â Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ÀÎ ÀúÀü·Â CMOS ·ÎÁ÷ȸ·Î¿Í ±ØÀú¿Â¿¡¼ ÀÛµ¿ÇÏ´Â ´ëÇü ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍÀÇ ÇÙ½É ¼ÒÀÚ·Î »ç¿ë °¡´ÉÇÒ Àü¸ÁÀä.
* CMOS : ä³ÎÀÌ ´Ù¸¥ MOS ÁýÀûȸ·Î°¡ »óÈ£º¸¿ÏÇϵµ·Ï ±¸¼ºÇÑ Ä¨. µ¿ÀÛ¼Óµµ´Â ´ÊÁö¸¸ ¼ÒºñÀü·ÂÀÌ Àû¾î ¼ÒÇü ÄÄÇ»ÅÍ, ÈÞ´ë¿ë °è»ê±â µî¿¡ Ȱ¿ëµÊ.
** ·ÎÁ÷ ¼ÒÀÚ : ³í¸® ¿¬»êÀ» ÇÏ´Â ÀüÀÚ¼ÒÀÚ.
·ÎÁ÷ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ´Â ¼ÒÀÚ ¼ÒÇüÈ °øÁ¤ ±â¼ú °³¹ßÀ» ÅëÇØ ÁýÀûµµ¿Í ¼º´ÉÀ» ³ô¿©¿Ô½À´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸, ¹°¸®ÀûÀÎ ÇѰè·Î ´õ ÀÌ»ó ¼ÒÇüÈ ½ÇÇöÀÌ ¾î·Á¿î »óȲÀÔ´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ ¼ÒÀÚ ¼ÒÇüÈ¿¡ µû¸¥ ¹è¼±ÀÇ ¼±Æø °¨¼Ò¿Í ÀÌ·Î ÀÎÇÑ ¹è¼±ÀÇ ÀúÇ×, Àü·Â ¼Ò¸ð Áõ°¡·Î ¼º´É Çâ»ó¿¡ ÀÌÁß°í¸¦ °Þ°í ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÀÌ °°Àº ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÒ Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼ú·Î ¸ð³î¸®½Ä 3Â÷¿ø ÁýÀû±â¼ú(M3D)*ÀÌ ÁÖ¸ñ ¹Þ°í ÀÖ½À´Ï´Ù. ±âÁ¸ÀÇ ÀûÃþ±â¼ú°ú ´Þ¸® ´ÜÀÏ È¸·Î¸¦ 3Â÷¿øÀ¸·Î ÀûÃþÇÏ¿© ÁýÀûµµ¸¦ ³ôÀ̸鼵µ ¼ÒÀÚ¸¦ ¿¬°áÇÏ´Â ¹è¼± ÀúÇ×À» ȹ±âÀûÀ¸·Î ÁÙÀÏ ¼ö ÀÖ°í, »óºÎ ä³Î¿¡ °í¼º´É ½Å±Ô ¼ÒÀ縦 µµÀÔÇÒ ¼ö Àֱ⠶§¹®ÀÔ´Ï´Ù. ÇÏÁö¸¸ ÀûÃþ ¹× »óºÎ ¼ÒÀÚ °øÁ¤¿¡¼ ¿À» °è¼Ó °¡ÇÏ°Ô µÇ¾î ³·Àº ÃþÀÇ ¼ÒÀÚ°¡ ½±°Ô ¼Õ»óµÇ±â ¶§¹®¿¡ °øÁ¤ÀÌ ¸Å¿ì ±î´Ù·Î¿î ÇѰ谡 ÀÖ½À´Ï´Ù.
* ¸ð³î¸®½Ä 3Â÷¿ø ÁýÀû±â¼ú: ¹ÝµµÃ¼ ÇϺΠ¼ÒÀÚ °øÁ¤ ÈÄ, »óºÎÀÇ ¹Ú¸·ÃþÀ» Çü¼ºÇÏ°í »óºÎ ¼ÒÀÚ °øÁ¤À» ¼øÂ÷ÀûÀ¸·Î ÁøÇàÇÔÀ¸·Î½á »óÇϺΠ¼ÒÀÚ °£ÀÇ Á¤·Äµµ¸¦ ±Ø´ëÈÇÒ ¼ö ÀÖ´Â 3Â÷¿ø ¹ÝµµÃ¼ ÁýÀû ±â¼ú.
ÃÊÀüµµÃ¼ ȤÀº ½Ç¸®ÄÜ(Si) ¾çÀÚÁ¡À» »ç¿ëÇÏ´Â ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ´Â ±âÁ¸ ÄÄÇ»ÅÍ¿Í ´Þ¸® ±ØÀú¿Â¿¡¼ µ¿ÀÛÇÏ¸ç ¼ö¸¸ °³ÀÇ È¸·Î·Î ¿¬°áµË´Ï´Ù. µû¶ó¼ ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ¿¡ »ç¿ëµÇ´Â ÀúÀâÀ½ ÁõÆø±â ¼ÒÀÚ´Â ±ØÀú¿Â ÀÛµ¿ÇÏ¸é¼ ¿ ¹ß»ýÀÌ ÃÖ´ëÇÑ Àû¾î¾ß ÇϹǷΠÃÊÀúÀü·Â ¼ÒÀÚ·Î ±¸ÇöµÇ¾î¾ß Çϴµ¥¿ä.
¿¬±¸ÆÀÀº ¸ð³î¸®½Ä 3Â÷¿ø ÁýÀû ±â¼úÀ» ÅëÇØ °í¼º´É °Ô¸£¸¶´½/½Ç¸®ÄÜ(Ge/Si) ÇÏÀ̺긮µå CFET¿Í ´õºÒ¾î ±ØÀú¿Â¿¡ µ¿ÀÛÇÏ¸é¼ ÁýÀûµµ°¡ ³ô°í ÃÊÀúÀü·ÂÀ¸·Î µ¿ÀÛÇÏ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ¹× ȸ·Î¸¦ °³¹ßÇß½À´Ï´Ù. CFET(The Complementary FET, »óº¸Çü Àü°è È¿°ú Æ®·£Áö½ºÅÍ)À̶õ ¼·Î ´Ù¸¥ Àüµµ À¯ÇüÀÇ Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ±³´ë·Î 3Â÷¿øÀûÀ¸·Î ½×¾Æ ¼¿ ¸éÀûÀ» Å©°Ô °¨¼Ò½ÃŰ´Â ¹ÝµµÃ¼ Á÷Á¢±â¼úÀÔ´Ï´Ù.
¿¬±¸ÆÀÀº ÀûÃþ°øÁ¤ ¹× ¼ÒÀÚ Á¦ÀÛ ½Ã ÇÊ¿äÇÑ ³ôÀº °øÁ¤¿Âµµ¸¦ ¾ïÁ¦ÇÏ´Â µ¶ÀÚÀûÀÎ Àú¿Â°øÁ¤À» °³¹ßÇÏ¿© ±âÁ¸ ¸ð³î¸®½Ä 3Â÷¿ø ÁýÀû±â¼úÀÇ ÇѰ踦 ±Øº¹Çß½À´Ï´Ù. ´õºÒ¾î °øÁ¤ ¹× Ge °íÀ¯ÀÇ ¹êµå ±¸Á¶ ¿£Áö´Ï¾î¸µÀ» ÅëÇØ¼ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ ¼º´ÉÀ» ³ªÅ¸³»´Â Á¤°øÀ̵¿µµ¸¦ ¼¼°è ÃÖ°í ¼öÁØÀ¸·Î ±¸ÇöÇÏ´Â µ¥ ¼º°øÇß½À´Ï´Ù. ¶ÇÇÑ ´ëÇü ¾çÀÚÄÄÇ»ÅͰ¡ ÇÊ¿ä·Î ÇÏ´Â ¼ö¸¸ °³ÀÇ Å¥ºñÆ®¸¦ ÀûÀº ¼öÀÇ ¼ÒÀÚ ¹× ¹è¼±À¸·Î Á¦¾î, ÆÇµ¶Çϱâ À§Çؼ ±ØÀú¿Â¿¡¼ µ¿ÀÛÇÏ´Â ÀúÀúÇ×, ÃÊÀúÀü·Â ÀúÀâÀ½ ÁõÆø ¼ÒÀÚ ¹× ¶ó¿ìÆÃ ¼ÒÀÚ¸¦ ±¸ÇöÇß½À´Ï´Ù.
3Â÷¿ø ¼öÁ÷ ÀûÃþÇü Â÷¼¼´ë ·ÎÁ÷ ¼ÒÀÚ (CFET) ´Ü¸é. Si bulk nFET°ú Ge thin film pFETÀÌ ¼öÁ÷À¸·Î ÀûÃþµÈ ´Ü¸éÀ» ³ªÅ¸³»¸ç, ¸Å¿ì ±ÕÀÏÇÏ°Ô º»µùµÇ¾î 3D±¸Á¶°¡ Çü¼ºµÊÀ» ¾Ë ¼ö ÀÖ´Ù. ±×¸²¼³¸í ¹× ±×¸²Á¦°ø : Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿ø ±è¼º±¤ ¹Ú»ç°úÁ¤
ÀÌ·± ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ ¹× °øÁ¤ ±â¼úÀº ¾ÕÀ¸·Î ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍ¿ë ¼ÒÀÚ °³¹ß¿¡ ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô È°¿ëµÇ°í ±âÁ¸ÀÇ ·ÎÁ÷¼ÒÀÚ µî¿¡¼ ±â¼úÀû ¼º´ÉÀ» Å©°Ô Çâ»óÇϴµ¥ Ȱ¿ëµÉ °ÍÀ¸·Î ±â´ëµÇ´Âµ¥¿ä.
3Â÷¿ø Å¥ºñÆ® ½ÅÈ£Á¦¾î/ÇØµ¶ ¼ÒÀÚÀÇ ´Ü¸é. Å¥ºñ½º ½ÅÈ£Á¦¾î/ÇØµ¶¿¡ »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ´Â InGaAs·Î ¸¸µé¾îÁø HEMT¼ÒÀÚÀÇ ´Ü¸é Åõ°úÇö¹Ì°æ »çÁøÀ» ³ªÅ¸³»¸ç ¹Ú¸· ä³ÎÀÌ »êȸ· À§¿¡ 3Â÷¿ø ÀûÃþµÈ ¸ð½ÀÀ» º¸¿©ÁØ´Ù. ±×¸²¼³¸í ¹× ±×¸²Á¦°ø : Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿ø Á¤Àç¿ë ¹Ú»ç°úÁ¤
±è»óÇö ±³¼ö´Â ¡°À̹ø ¿¬±¸¼º°ú´Â ±âÁ¸ ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ±â¼úÀû ÇѰ踦 ±Øº¹ÇÏ¿© ¼º´ÉÀ» ±Ø´ëÈÇÑ Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀ» °³¹ßÇѵ¥ ÀÇÀǰ¡ ÀÖ´Ù¡±¶ó¸ç ¡°¹Ì·¡ °úÇбâ¼ú º¯È¸¦ ÁÖµµÇÒ Â÷¼¼´ë ·ÎÁ÷ ¹× ¾çÀÚÄÄÇ»ÅÍÀÇ ÇÙ½É ¼ÒÀÚ·Î ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖµµ·Ï ÈÄ¼Ó ¿¬±¸¿¡ Èû¾²°Ú´Ù¡±°í ¹àÇû½À´Ï´Ù.
¿¬±¸ °á°ú´Â ±¹Á¦ÀüÀÚ¼ÒÀÚÇÐȸ(International Electron Device Meetings, IEDM)¿¡ 2ÆíÀÇ ³í¹®À¸·Î ¹ßÇ¥µÆ½À´Ï´Ù.
Ãâó : ÀÌ¿ôÁý°úÇÐÀÚ(http://www.astronomer.rocks)
ÇØ´ç °Ô½Ã¹°¿¡ À½¶õ¹°(¾Æµ¿ Æ÷ÇÔ), µµ¹Ú,±¤°í°¡ Àְųª ¹ÙÀÌ·¯½º, »ç±âÆÄÀÏÀÌ Ã·ºÎµÈ °æ¿ì¿¡ ÇÏ´ÜÀÇ ½Å°í¸¦ Ŭ¸¯ÇØÁÖ¼¼¿ä.
´Ü, Á¤»óÀûÀÎ °Ô½Ã¹°À» ½Å°íÇÒ ½Ã »çÀÌÆ® À̿뿡 ºÒÀÌÀÍÀ» ¹ÞÀ¸½Ç ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
lsmin0420 ´ÔÀÇ ÃÖ±Ù Ä¿¹Â´ÏƼ ±Û.